AO4449概述
P沟道,-30V,-7A,34mΩ@-10V
表面贴装型 P 通道 30 V 7A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
立创商城:
P沟道 30V 7A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; SO8
DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
AO4449中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2 W
极性 P-CH
耗散功率 3.1W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 910pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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