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AP4410M中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

封装参数

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： AP4410M

制造商： Advanced Power Electronics 富鼎先进电子

描述：MOS场效应管/AP4410M