APT100GT120JU2

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APT100GT120JU2概述

ISOTOP升压斩波沟道+场截止IGBT ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from . Its maximum power dissipation is 0.4 mW. It has a maximum collector emitter voltage of ±20 V. It is made in a single configuration. This device utilizes field stop|trench technology. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT100GT120JU2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.2nF @25V

额定功率Max 480 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 480000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT100GT120JU2
型号: APT100GT120JU2
描述:ISOTOP升压斩波沟道+场截止IGBT ISOTOP Boost chopper Trench + Field Stop IGBT

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