ATF-54143-BLKG

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ATF-54143-BLKG中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

电源电压DC 3.00 V

额定电压DC 3.00 V

额定电流 120 mA

供电电流 60.0 mA

耗散功率 725 mW

漏源极电压Vds 3.00 V

连续漏极电流Ids 120 mA

输出功率 20.4 dBm

增益 16.6 dB

测试电流 60 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买ATF-54143-BLKG
型号: ATF-54143-BLKG
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage
替代型号ATF-54143-BLKG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ATF-54143-BLKG

AVAGO Technologies 安华高科

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