AS6C1008-55BIN参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS6C1008-55BIN概述

IC SRAM 1Mbit 55NS 36TFBGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36TFBGA

立创商城:
AS6C1008 55BIN

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36

AS6C1008-55BIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买AS6C1008-55BIN

型号： AS6C1008-55BIN

描述：IC SRAM 1Mbit 55NS 36TFBGA