AS6C2016-55BINTR

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AS6C2016-55BINTR概述

SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48Pin TFBGA

SRAM - 异步 存储器 IC 2Mb(128K x 16) 并联 48-TFBGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA


立创商城:
AS6C2016 55BINTR


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48


AS6C2016-55BINTR中文资料参数规格
技术参数

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: AS6C2016-55BINTR
描述:SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48Pin TFBGA

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