AS6C2008-55BIN参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS6C2008-55BIN概述

静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8

得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

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AS6C2008 55BIN

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静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

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SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36-Pin TF-BGA

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 256kx8bit; 3÷3.6V; 55ns; TFBGA36

儒卓力:
**SRAM 256Kx8 55ns BGA36 **

AS6C2008-55BIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3V ~ 3.6V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS6C2008-55BIN引脚图与封装图

在线购买AS6C2008-55BIN

型号： AS6C2008-55BIN

描述：静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

替代型号AS6C2008-55BIN