AS6C2008A-55BIN

AS6C2008A-55BIN图片1
AS6C2008A-55BIN概述

SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36Pin TF-BGA

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 55ns 36-TFBGA 6x8


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA


立创商城:
AS6C2008A 55BIN


贸泽:
SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM


AS6C2008A-55BIN中文资料参数规格
技术参数

电源电压 2.7V ~ 5.5V

封装参数

封装 TFBGA-36

外形尺寸

封装 TFBGA-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS6C2008A-55BIN
型号: AS6C2008A-55BIN
描述:SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36Pin TF-BGA
替代型号AS6C2008A-55BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS6C2008A-55BIN

Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

当前型号

AS6C2008A-55TIN

联盟记忆

类似代替

AS6C2008A-55BIN和AS6C2008A-55TIN的区别

AS6C2008A-55STIN

联盟记忆

类似代替

AS6C2008A-55BIN和AS6C2008A-55STIN的区别

AS6C2008A-55SIN

联盟记忆

类似代替

AS6C2008A-55BIN和AS6C2008A-55SIN的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台