AS4C8M16S-6BINTR

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AS4C8M16S-6BINTR概述

动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 166Mhz 8M x 16 S动态随机存取存储器

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 166Mhz 8M x 16 S动态随机存取存储器


安富利:
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


AS4C8M16S-6BINTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -45 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

封装 FPBGA-54

外形尺寸

封装 FPBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AS4C8M16S-6BINTR
型号: AS4C8M16S-6BINTR
描述:动态随机存取存储器 128M, 3.3V, 166Mhz 8M x 16 S动态随机存取存储器
替代型号AS4C8M16S-6BINTR
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