AS4C16M16S-6BINTR

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AS4C16M16S-6BINTR概述

AS4C4M16S 256Mbit 16M x 16 166MHz CMOS SDRAM - BGA-54

SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM


安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16M x 16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


Win Source:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA


AS4C16M16S-6BINTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 45 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FPBGA-54

外形尺寸

封装 FPBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: AS4C16M16S-6BINTR
描述:AS4C4M16S 256Mbit 16M x 16 166MHz CMOS SDRAM - BGA-54

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