AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR图片1
AS4C16M32MD1-5BINTR图片2
AS4C16M32MD1-5BINTR图片3
AS4C16M32MD1-5BINTR概述

DRAM 512M, 1.8V, 200MHz 16M x 32 Mobile DDR

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 200 MHz 5 ns 90-FBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA


立创商城:
512Mbit 1.7V~1.95V


贸泽:
DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR


安富利:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16M x 32 1.8V 90-Pin FPBGA T/R


AS4C16M32MD1-5BINTR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 90

封装 VFBGA-90

外形尺寸

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS4C16M32MD1-5BINTR
型号: AS4C16M32MD1-5BINTR
描述:DRAM 512M, 1.8V, 200MHz 16M x 32 Mobile DDR

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台