AS4C2M32S-6BINTR

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AS4C2M32S-6BINTR概述

动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 2M x 32 S动态随机存取存储器

SDRAM 存储器 IC 64Mb(2M x 32) 并联 166 MHz 5.4 ns 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


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AS4C2M32S 6BINTR


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DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 90-Pin TF-BGA T/R


AS4C2M32S-6BINTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS4C2M32S-6BINTR
型号: AS4C2M32S-6BINTR
描述:动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 2M x 32 S动态随机存取存储器
替代型号AS4C2M32S-6BINTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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