AS6C8016A-55BINTR

AS6C8016A-55BINTR概述

静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 8Mb(512K x 16) 并联 55 ns 48-FPBGA(10x8)


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48FPBGA


立创商城:
AS6C8016A 55BINTR


贸泽:
静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器


安富利:
512K X 16


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx16bit; 3.3V; 55ns; TFBGA48


AS6C8016A-55BINTR中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3.3 V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FPBGA-48

外形尺寸

封装 FPBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS6C8016A-55BINTR
型号: AS6C8016A-55BINTR
描述:静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

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