AS6C1616-70BIN

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AS6C1616-70BIN概述

静态随机存取存储器 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb(1M x 16) 并联 70 ns 48-TFBGA(6x8)


得捷:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn 静态随机存取存储器


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 1M x 16 70ns 48-Pin TFBGA


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 1024x16bit; 3÷3.6V; 70ns; TFBGA48


AS6C1616-70BIN中文资料参数规格
技术参数

工作电压 3V ~ 3.6V

存取时间 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

AS6C1616-70BIN引脚图与封装图
AS6C1616-70BIN引脚图
AS6C1616-70BIN封装图
AS6C1616-70BIN封装焊盘图
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型号: AS6C1616-70BIN
描述:静态随机存取存储器 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

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