APT20GF120BRDQ1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT20GF120BRDQ1G概述

IGBT 1200V 36A 200W TO247

IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B]

得捷:
IGBT 1200V 36A 200W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247

APT20GF120BRDQ1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 36.0 A

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT20GF120BRDQ1G

型号： APT20GF120BRDQ1G

描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247