APT11GF120BRDQ1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT11GF120BRDQ1G概述

IGBT 1200V 25A 156W TO247

IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B]

得捷:
IGBT 1200V 25A 156W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 25A 156000mW 3-Pin3+Tab TO-247

APT11GF120BRDQ1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 25.0 A

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 156 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT11GF120BRDQ1G

型号： APT11GF120BRDQ1G

描述：IGBT 1200V 25A 156W TO247

替代型号APT11GF120BRDQ1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
APT11GF120BRDQ1G Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
APT11GF120BRDQ1 美高森美	功能相似	APT11GF120BRDQ1G和APT11GF120BRDQ1的区别

型号/品牌

代替类型

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APT11GF120BRDQ1G

Microsemi 美高森美

当前型号

APT11GF120BRDQ1

美高森美

功能相似