APTGT75DA120T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

APTGT75DA120T1G概述

升压斩波快速沟道+场截止IGBT ？电源模块 Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT? Power Module

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1

得捷:
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP1

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 110A 357000mW 12-Pin Case SP-1

APTGT75DA120T1G中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.34nF @25V

额定功率Max 357 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 357000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： APTGT75DA120T1G

描述：升压斩波快速沟道+场截止IGBT ？电源模块 Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT? Power Module