APT60GT60JR

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APT60GT60JR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 93.0 A

耗散功率 378000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.6nF @25V

额定功率Max 378 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 378000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 SOT-227

外形尺寸

高度 9.6 mm

封装 SOT-227

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT60GT60JR
型号: APT60GT60JR
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 93A 378000mW 4Pin SOT-227

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