AT-32011-TR1G

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AT-32011-TR1G中文资料参数规格
技术参数

频率 10000 MHz

额定电压DC 5.50 V

额定电流 32.0 mA

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 5.5 V

增益 12.5dB ~ 14dB

最小电流放大倍数hFE 70 @2mA, 2.7V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 3.06 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AT-32011-TR1G
型号: AT-32011-TR1G
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:射频RF双极晶体管 Transistor Si Low Current
替代型号AT-32011-TR1G
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AT-32011-TR1G

AVAGO Technologies 安华高科

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