ATP112-TL-H

ATP112-TL-H图片1
ATP112-TL-H图片2
ATP112-TL-H图片3
ATP112-TL-H图片4
ATP112-TL-H图片5
ATP112-TL-H图片6
ATP112-TL-H图片7
ATP112-TL-H图片8
ATP112-TL-H图片9
ATP112-TL-H图片10
ATP112-TL-H概述

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,


得捷:
MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK


欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP112-TL-H, 25 A, Vds=60 V, 3引脚 ATPAK封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -25 A, -60 V, 0.033 ohm, -10 V, -2.6 V


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of ON Semiconductor&s;s ATP112-TL-H power MOSFET. Its maximum power dissipation is 40000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
ATP112-TL-H P-channel MOSFET Transistor, 25 A, 60 V, 3-Pin ATPAK


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 25A 3-Pin2+Tab ATPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 25A Automotive 3-Pin2+Tab ATPAK T/R


力源芯城:
-25A,-60V,P沟道MOSFET


ATP112-TL-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 1450pF @20VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 7.3 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买ATP112-TL-H
型号: ATP112-TL-H
描述:P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
替代型号ATP112-TL-H
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ATP112-TL-H

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台