极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 10.7 ns
输入电容Ciss 3719pF @15VVds
下降时间 12.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
数据手册
AON6718
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
当前型号
IPB034N03LGATMA1
英飞凌
功能相似
STU150N3LLH6
意法半导体
IPB05N03LB