ATF-36163-TR1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

ATF-36163-TR1G中文资料参数规格

技术参数

频率 4 GHz

额定电压DC 3.00 V

额定电流 40 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 3.00 V

连续漏极电流Ids 40.0 mA

输出功率 5 dBm

增益 10 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

额定电压 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ATF-36163-TR1G

型号： ATF-36163-TR1G

制造商： AVAGO Technologies 安华高科

描述：射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Frequency

替代型号ATF-36163-TR1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
ATF-36163-TR1G AVAGO Technologies 安华高科	当前型号	当前型号
ATF-36163-BLKG 博通	功能相似	ATF-36163-TR1G和ATF-36163-BLKG的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

ATF-36163-TR1G

AVAGO Technologies 安华高科

当前型号

ATF-36163-BLKG

博通

功能相似