ATP302-TL-H

ATP302-TL-H图片1
ATP302-TL-H图片2
ATP302-TL-H图片3
ATP302-TL-H图片4
ATP302-TL-H图片5
ATP302-TL-H图片6
ATP302-TL-H图片7
ATP302-TL-H图片8
ATP302-TL-H图片9
ATP302-TL-H图片10
ATP302-TL-H图片11
ATP302-TL-H概述

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,


得捷:
MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK


立创商城:
P沟道 60V 70A


欧时:
### P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 70 A, 0.01 ohm, ATPAK, 表面安装


艾睿:
Use ON Semiconductor&s;s ATP302-TL-H power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin2+Tab ATPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 70A Automotive 3-Pin2+Tab ATPAK T/R


力源芯城:
-60V,-70A,P沟道功率MOSFET


ATP302-TL-H中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 2.6 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 430 ns

输入电容Ciss 5400pF @20VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 500 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 7.3 mm

高度 1.5 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ATP302-TL-H
型号: ATP302-TL-H
描述:P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台