ATF-58143-TR1G

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ATF-58143-TR1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 3.00 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 3.00 V

连续漏极电流Ids 500 mA

增益 16.5 dB

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ATF-58143-TR1G
型号: ATF-58143-TR1G
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage
替代型号ATF-58143-TR1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ATF-58143-TR1G

AVAGO Technologies 安华高科

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安华高科

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