ATF-34143-TR1G中文资料参数规格
技术参数
频率 2 GHz
额定电压DC 5.50 V
额定电流 145 mA
极性 N-Channel
耗散功率 725 mW
漏源极电压Vds 5.5 V
连续漏极电流Ids 65.0 mA
增益 17.5 dB
测试电流 60 mA
工作温度Max 160 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-323-4
外形尺寸
封装 SOT-323-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 160℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
在线购买ATF-34143-TR1G
型号： ATF-34143-TR1G
制造商：
AVAGO Technologies
安华高科
描述：射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise
替代型号ATF-34143-TR1G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
ATF-34143-TR1G AVAGO Technologies 安华高科 | 当前型号 | 当前型号 |
ATF-34143-TR1 安华高科 | 完全替代 | ATF-34143-TR1G和ATF-34143-TR1的区别 |
ATF-34143-TR2G 博通 | 类似代替 | ATF-34143-TR1G和ATF-34143-TR2G的区别 |