APT20GN60BG

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APT20GN60BG概述

APT20GN60 系列 600 V 40 A 120 nC 136 W 9/140 ns 沟槽 IGBT - TO-247-3

The IGBT transistor from is the best electronic switch for fast switching. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 136000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. It is made in a single configuration.

APT20GN60BG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 40.0 A

耗散功率 136000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 136 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT20GN60BG
型号: APT20GN60BG
描述:APT20GN60 系列 600 V 40 A 120 nC 136 W 9/140 ns 沟槽 IGBT - TO-247-3

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