APT4M120K

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APT4M120K中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 4.00 A

极性 N-CH

耗散功率 225 W

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

输入电容Ciss 1385pF @25VVds

额定功率Max 225 W

耗散功率Max 225W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT4M120K
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

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