APT8M80K概述
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
N-Channel 800V 8A Tc 225W Tc Through Hole TO-220 [K]
得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
N-Channel MOSFET
APT8M80K中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 8.00 A
极性 N-CH
耗散功率 225W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1335pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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