ATF-511P8-TR1

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ATF-511P8-TR1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.50 V

额定电流 200 mA

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 7.00 V

漏源击穿电压 7 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

增益 14.8 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LPCC-8

外形尺寸

封装 LPCC-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ATF-511P8-TR1
型号: ATF-511P8-TR1
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity
替代型号ATF-511P8-TR1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ATF-511P8-TR1

AVAGO Technologies 安华高科

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