APT50GN60BG概述
谐振模式的Combi IGBT Resonant Mode Combi IGBT
This IGBT transistor from is an electronic switch that can handle large currents with very little gate current drive. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 366000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. It is made in a single configuration.
APT50GN60BG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 107 A
耗散功率 366 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 366 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 366000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 21.46 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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