APT8M100B

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APT8M100B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 8.00 A

极性 N-CH

耗散功率 290W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 1885pF @25VVds

下降时间 7.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT8M100B
描述:APT8M100B 系列 1000 V 8 A 1.8 Ohm N 沟道 功率 MOSFET - TO-247-3

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