额定电压DC 1.00 kV
额定电流 7.30 A
通道数 1
漏源极电阻 1.76 Ω
极性 N-CH
耗散功率 290 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT7F100B Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFPG50PBF 威世 | 功能相似 | APT7F100B和IRFPG50PBF的区别 |
IXFH6N100 IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT7F100B和IXFH6N100的区别 |
IXTH5N100A IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT7F100B和IXTH5N100A的区别 |