APT24F50B概述
N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 335000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
APT24F50B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 24.0 A
极性 N-CH
耗散功率 335 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 3630pF @25VVds
额定功率Max 335 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 335W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT24F50B