APT11F80B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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APT11F80B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 11.0 A

极性 N-CH

耗散功率 337W Tc

输入电容 1.59 nF

栅电荷 60.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

输入电容Ciss 2471pF @25VVds

额定功率Max 337 W

耗散功率Max 337W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT11F80B

型号： APT11F80B

制造商： Microsemi 美高森美

描述：N沟道FREDFET N-Channel FREDFET

替代型号APT11F80B

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

APT11F80B

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

IXFQ10N80P

IXYS Semiconductor

功能相似

APT11F80B和IXFQ10N80P的区别