APT25GR120B

APT25GR120B图片1
APT25GR120B图片2
APT25GR120B图片3
APT25GR120B概述

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

The Ultra Fast NPT - IGBT® family of products is the newest generation of planar IGBTs optimized for outstanding ruggedness and the best trade-off between conduction and switching losses.


贸泽:
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin3+Tab TO-247


富昌:
APT25GR120B Series 1200 V 75 A Trench and Field Stop IGBT - TO-247-3


APT25GR120B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 521000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 521 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 521000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT25GR120B
型号: APT25GR120B
描述:功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台