APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G图片1
APT15GP60BDQ1G图片2
APT15GP60BDQ1G图片3
APT15GP60BDQ1G图片4
APT15GP60BDQ1G图片5
APT15GP60BDQ1G图片6
APT15GP60BDQ1G图片7
APT15GP60BDQ1G概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247

Don"t be afraid to step up the amps in your device when using this IGBT transistor from . It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 250000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.

APT15GP60BDQ1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 15.0 A

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT15GP60BDQ1G
型号: APT15GP60BDQ1G
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台