功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules
Don"t be afraid to step up the amps in your device when using this IGBT transistor from . Its maximum power dissipation is 347000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 54 A
耗散功率 347 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 347 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 347000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 21.46 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
重量 0.608000242476 kg
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT25GT120BRG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IRG7PH35UPBF 国际整流器 | 功能相似 | APT25GT120BRG和IRG7PH35UPBF的区别 |