APT15GP90BG

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APT15GP90BG概述

Trans IGBT Chip N-CH 900V 43A 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]


得捷:
IGBT 900V 43A 250W TO247


贸泽:
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 43A 3-Pin3+Tab TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 43A 3-Pin3+Tab TO-247


Win Source:
IGBT 900V 43A 250W TO247


APT15GP90BG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 43.0 A

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT15GP90BG
型号: APT15GP90BG
描述:Trans IGBT Chip N-CH 900V 43A 3Pin3+Tab TO-247

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