APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30图片1
APT45GR65B2DU30概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3Pin3+Tab T-MAX

IGBT NPT 通孔 T-MAX™ [B2]


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


贸泽:
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3-Pin3+Tab T-MAX Tube


APT45GR65B2DU30中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 543000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 80 ns

额定功率Max 543 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 543000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT45GR65B2DU30
型号: APT45GR65B2DU30
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 118A 543000mW 3Pin3+Tab T-MAX

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台