APT7M120S

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APT7M120S中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.5 Ω

耗散功率 335 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 1200 V

漏源击穿电压 1.2 kV

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2565pF @25VVds

额定功率Max 335 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 335000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT7M120S
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

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