
通道数 1
漏源极电阻 1.5 Ω
耗散功率 335 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 1200 V
漏源击穿电压 1.2 kV
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
额定功率Max 335 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 335000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free