APT14M100B

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APT14M100B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 14.0 A

极性 N-CH

耗散功率 500 W

输入电容 3.97 nF

栅电荷 120 nC

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 3965pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 21.46 mm

宽度 16.26 mm

高度 5.31 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT14M100B
型号: APT14M100B
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
替代型号APT14M100B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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