APT14M100S

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APT14M100S中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 3965pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268

外形尺寸

封装 TO-268

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT14M100S
描述:N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

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