APT75GN60LDQ3G

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APT75GN60LDQ3G概述

APT75GN60LDQ3 系列 600 V 155 A 536 W 通孔 IGBT - TO-264

You won"t need to worry about any lagging in your circuit with this IGBT transistor from . Its maximum power dissipation is 536000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. It is made in a single configuration.

APT75GN60LDQ3G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 536000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 536 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 536000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买APT75GN60LDQ3G
型号: APT75GN60LDQ3G
描述:APT75GN60LDQ3 系列 600 V 155 A 536 W 通孔 IGBT - TO-264

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