额定电压DC 500 V
额定电流 42.0 A
漏源极电阻 110 mΩ
耗散功率 625 W
阈值电压 4 V
输入电容 6.81 nF
栅电荷 170 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 42.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 6810pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 21.46 mm
宽度 16.26 mm
高度 5.31 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT42F50B Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT5015BVRG 美高森美 | 类似代替 | APT42F50B和APT5015BVRG的区别 |
APT5015BVFRG 美高森美 | 类似代替 | APT42F50B和APT5015BVFRG的区别 |
STW23NM50N 意法半导体 | 功能相似 | APT42F50B和STW23NM50N的区别 |