APT50GR120L

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APT50GR120L中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 694 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APT50GR120L
描述:功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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