APT34N80B2C3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 34.0 A
耗散功率 417W Tc
输入电容 4.51 nF
栅电荷 355 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4510pF @25VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT34N80B2C3G
型号： APT34N80B2C3G
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：APT34N80B23CG N-Channel 800V 34A 145mOhm 355NC 417W Mosfet - TO-247-3
替代型号APT34N80B2C3G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT34N80B2C3G Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT34N80B2C3 美高森美 | 类似代替 | APT34N80B2C3G和APT34N80B2C3的区别 |