APT5017BVFRG

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APT5017BVFRG概述

Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 370000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes power mos v technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

APT5017BVFRG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 370 W

输入电容 5.28 nF

栅电荷 300 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4400pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 370000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT5017BVFRG
型号: APT5017BVFRG
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247
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