额定电压DC 500 V
额定电流 30.0 A
耗散功率 329 W
输入电容 2.83 nF
栅电荷 72.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2833pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 329W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT5016BLLG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT5016BFLLG 美高森美 | 完全替代 | APT5016BLLG和APT5016BFLLG的区别 |
STW26NM50 意法半导体 | 功能相似 | APT5016BLLG和STW26NM50的区别 |
IXFH30N50P IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT5016BLLG和IXFH30N50P的区别 |