TO-247 N-CH 600V 21A
Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 298000 mW. This device utilizes power mos v technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
额定电压DC 600 V
额定电流 21.0 A
极性 N-CH
耗散功率 298 W
输入电容 3.75 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3750pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 298000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT6030BVRG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
STW25NM60ND 意法半导体 | 功能相似 | APT6030BVRG和STW25NM60ND的区别 |