APT77N60BC6参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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APT77N60BC6中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 481000 mW

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 13600pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 481W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买APT77N60BC6

型号： APT77N60BC6

制造商： Microsemi 美高森美

描述：超级结MOSFET Super Junction MOSFET

替代型号APT77N60BC6

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

APT77N60BC6

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

APT77N60SC6

美高森美

功能相似

APT77N60BC6和APT77N60SC6的区别